超短パルスレーザー微細加工システム

用途に応じて最適化する、超短パルスレーザー微細加工

精密微細加工に特化した構成の、弊社オリジナル高精度レーザー加工システムを保有しており、それを用いた加工実験が可能です。 加工実験の結果をもとに、お客様の用途に最適なレーザーシステム構成をご提案します。

本製品でできること

超短パルスレーザーによる高精度微細加工を活用した検証

フェムト秒・ピコ秒レベルの超短パルスレーザーにより、材料への熱影響を極限まで抑えた微細加工を実現します。

加工トライアルや製品評価にご活用いただけるほか、新材料への適用可否の確認、設計段階での加工条件検討、量産前の評価加工などに対応可能です。

「まずは実際に加工して確かめたい」といったフェーズに最適な環境をご提供します。

独自制御ソフトによる高度な同期制御

レーザー出力・照射タイミング・走査速度を高度に同期制御する、独自開発の制御ソフトウェアを搭載。
加工内容に応じた柔軟な制御により、お客様ごとの最適な加工条件構築を支援します。

用途

半導体・電子デバイス製造関連

  • 半導体製造前工程における各種加工
    • スライシング、ポリッシュリング、ベベリング、ダイシング、スクライビング、穴あけ、パターニング
  • シリコンウエハダイシング
  • サファイア基板のスクライビング
  • 電子デバイス用フレキシブルプリント基板(FPC)切断
  • ITO膜剥離
  • OLEDのフルカット
  • 有機EL、MicroLEDなどのディスプレイ製造プロセス
  • 液晶リペア

材料別レーザー加工

  • 金属、セラミクス、樹脂、ガラス等へのアブレーション加工
  • 高分子材料の表面改質
  • 透明材料への多光子吸収プロセス加工
  • 医療・バイオ用新素材の微細加工

微細加工・形状加工

  • 彫刻、マーキング、切断、穴あけ

加工例

グリーン加工

紙(1000μm)
ガラス(100μm)
ギア(500μm)
星型切断(50μm)

IR-ガラス加工

レーザー加工中の高速度カメラ映像

装置外観

装置外観(イメージ)
装置内部

基本仕様

装置本体

外寸W1905mm×H2284mm×D1810mm
重量3000kg以上
加工対象物W500mm×D340mm×H90mm以下

*冷却用チラーは本体構成に含まれますが、本体外部に設置されます。

軸(X-Y)

ストローク600mm×400mm
最大速度300mm/sec
位置決め精度±3μm
繰返し位置決め精度±1μm

軸(Z)

ストローク160mm
最大速度200mm/sec
位置決め精度±6μm
繰返し位置決め精度±2μm

レーザー発振器( IRファイバーレーザー)

型式YLPP-100-1-100-R(IPGフォトニクス社製)
最大パルスエネルギー90μJ
パルス幅2ps
最大平均出力90W
光学系ガルバノスキャナ/fθレンズ/ベッセル/LCOS

レーザー発振器(グリーンファイバーレーザー)

型式GLPF-100-750-25-R(IPGフォトニクス社製)
最大パルスエネルギー45μJ
パルス幅750fs
最大平均出力22.5W
光学系ガルバノスキャナ/LCOS

外観図

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